Главная / Новости / «ИНФРАКРИСТАЛЛ» НА КОНФЕРЕНЦИИ «ФОТОНИКА 2019»

«ИНФРАКРИСТАЛЛ» НА КОНФЕРЕНЦИИ «ФОТОНИКА 2019»

« Назад

«ИНФРАКРИСТАЛЛ» НА КОНФЕРЕНЦИИ «ФОТОНИКА 2019» 31.05.2019 16:16

Конференция является продолжением серии научных конференций, посвященных полупроводниковой фотоэлектронике. Это событие уже стало традиционным в Новосибирске. Опыт предыдущих конференций продемонстрировал плодотворность обсуждения смежных проблем фотоэлектроники в рамках одного мероприятия.

ОРГАНИЗАТОРЫ

2 Федеральное государственное учреждение науки Институт физики полупроводников им.  А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

3 Национальный исследовательский новосибирский государственный университет

Благодаря высокому научному уровню конференция ФОТОНИКА имеет широкое признание в России и за рубежом. Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения. На конференции были представлены новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра, радиофотоники, рассмотрены вопросы внедрения инновационных технологий.

В рамках Школы для молодых ученых и студентов были прочитаны лекции, призванные ознакомить будущих ученых с наиболее важными и интересными проблемами в области полупроводниковой фотоэлектроники. Конференция проходила в курорт-отеле «Сосновка», расположенном в семи километрах от Новосибирского Академгородка, на берегу Бердского залива в живописном сосновом бору.

Основные направления конференции:

  • методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
  • фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
  • фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
  • солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;
  • полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;
  • терагерцовое излучение: полупроводниковые приемники и излучатели;
  • физические основы элементной базы радиофотоники;
  • приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;
  • новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения.

4

На конференции были представлены приглашенные доклады ведущих ученых, работающих в области фотоники, а также устные и стендовые доклады.

«Инфракристалл» представил стендовый доклад «К вопросу создания эффективных тепловых узлов установок выращивания монокристаллов германия 30» Авторами являлись К.Е. Аношин, А.В. Наумов, В.В. Старцев. Полупроводники на основе германия, являются чрезвычайно перспективными для использования в микроэлектронике, оптоэлектронике, солнечной энергетике и ИК оптике. Известен широкий ряд технических решений, направленных на усовершенствование теплового узла устройств для выращивания монокристаллов из расплава методом Чохральского. Тепловые узлы современных установок выращивания монокристаллов имеют, как правило, открытое для свободного излучения зеркало расплава. Это приводит к значительным (до 46%) потерям мощности установки. Известны также тепловые узлы, в которых используется конические экраны («колодцы»), опирающиеся на горизонтальные экраны. Над расплавом создается замкнутая полость, препятствующая излучению от охлаждаемых стенок камеры.  Однако, такая конструкция сужает поле зрение оператора, которому необходимо видеть свободную поверхность расплава, для вмешательства вплоть до повторения процесса затравления в случае неудачного начала. И в том и в другом случае наблюдаются повышенные значения градиентов температур и термоупругих напряжений в кристалле. Авторами был разработан плавающий на поверхности расплава экрана специальной конструкции. Тепло, передаваемое кольцевым плавающим экраном от расплава на поверхность растущего слитка, улучшает симметричность радиального температурного распределения на поверхности расплава. Размеры и материал плавающего экрана подобраны таким образом, чтобы его масса и теплопроводность обеспечивали необходимое выделение тепловой энергии над расплавом в области фронта кристаллизации при росте монокристаллов, но при этом не происходило нарушение конвекционных потоков в расплаве за счет погружения экрана в расплав. Техническим результатом применения плавающего экрана, является создание тепловых условий в области фронта кристаллизации, обеспечивающих равномерное распределение температур, для получения кристаллов больших диаметров, имеющих плотность дислокаций менее 200 см-2 и равномерное распределение в объеме легирующих примесей.